Dimensionnement pont en H

Bonjour,

J'ai un soucis concernant un onduleur pont en H. Je cherche a dimensionner les mosfets.

J'ai déjà ouvert des onduleurs industriels 500W en rack 19" et j'ai remarqué que les mosfets en entrée 12V étaient plus nombreux que ceux reliés au GND. En gros il y a 5 mosfets 50A en entrée et 3 en sortie GND sur chaque bras du pont en H.

Je voulais savoir si l'intensité après la charge était réduite et donc dimensionner plus petit les mosfets de sortie GND ?

J'ai une charge de 250A. Si je mets 2 mosfets 150A en courant nominal en entrées et 1 150A en sortie ça fonctionnerait ?

Merci

Le courant le même dans la branche du haut et celle du bas...

Je pense que la différence vient du type de mosfet: type N ou P et comme pour les bipolaires NPN et PNP on sait mieux faire des NPN que des PNP donc les NPN ont de meilleurs caractéristiques (même pour des "matched pair", le NPN est toujours (un peu) mieux)

300 A de mosfet (sans résistance d'équilibrage en plus ?) pour contrôler 250 A ça me parait très optimiste... t'as calculé quelle sera la dissipation avec 125 A par mosfet ? à mon avis t'es en dehors de la SOA.

172W/mosfet.
Ce sont des mosfets qui peuvent dissiper 650W. Et j'ai un profilé alu de 3 kilos et deux ventilateurs de 10W chacun.

Pourtant c'était que des mosfets NPN.

250A c'est une pointe pas nominal.

Ok, bon, mais perso je trouve ça juste ou alors ces des mosfets de compet (m'enfin ptet qu'en voyant le prix des mosfets je trouverais ça suffisant... ).

Disons juste qu'à ces niveaux de puissance t'as pas beaucoup de marge, si tu dépasses les specs généralement ça se fini en feu d'artifice...

N, pas NPN...

Donc ils auraient mis du N côté Vcc ? mmh, pas logique d'un point de vue commande mais logique d'un point de vue différence de perfs N/P (ce que j'expliquais plus haut), why not.

Bon sinon un schéma aiderait à comprendre pourquoi ce serait censé d'avoir un nombre différent de transistors par branche

Heu oui N sorry. J'étais fatigué.

Les mosfets : http://fr.rs-online.com/web/p/transistors-mosfet/0194259/

Le schéma que je compte utiliser https://www.google.fr/search?q=egs002&client=ms-android-hms-vf-fr&source=android-browser&prmd=imvn&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=0ahUKEwiNyc_pr_HJAhUBoxoKHcNCDg0Q_AUIBygB#imgrc=sSSLSyAkRFRfHM%3A

Ah oui, 20 € le mosfet ça commence à piquer un peu...

7 nF de capa de gate... tu comptes driver ça avec un driver fait pour j'espère

Euh t'as un schéma en particulier parce là y'en a un tas de différents

Je drive avec une carte spwm EG8010 équipée de drivers de mosfets.
J'utilise le schéma recommandé par le constructeur de la carte.

Je prends ce type de mosfet car je l'ai ai gratuitement.

Ok mais les drivers sont capables de driver de si gros mosfets ?

Ceci dit j'ai pu voir que la carte travaille à 23 kHz donc ça reste très raisonnable.

Ah ben t'as de la chance

Ce sont des IR2110S. Ils pourront drive sans soucis je pense. 4 mosfets par driver

Oui, a vrai dire j'aurais préféré un module mosfet en H directement. Mais je vais pas me plaindre.

Merci.

Il sont capable de sortir 2 A donc ça devrait aller. Si tu veux faire les choses correctement il faut calculer le temps de charge de la gate pour 2 A et la tension de commande (5 V par ex)

Ok.

J'ai une dernière question.
Si je prends deux ponts sextuple et que je branche comme ça :

http://i68.servimg.com/u/f68/12/50/30/47/20151211.jpg

Et que je drive les mosfets comme si ils étaient en parallèle ça serait sûrement mieux ? Car niveau pertes si je prends ça

http://fr.rs-online.com/web/p/transistors-mosfet/6875033/
j'ai presque 4 fois moins de pertes de conduction.

Merci

Wé c'est possible.

Par contre il a quasiment 1.5 µs de retard au blocage donc il faudra faire gaffe au dead time pour ne pas court-circuiter l'alim

Je programmerais le temps mort de la carte à 1,5 uS dans ce cas.

Merci.